半導體技術
北大核心- 知網0.297
- 萬方0.23
- 維普0.2743
《半導體技術》雜志是由國家新聞出版總署批準，中國電子科技集團公司主管， 中國電子科技集團公司第十三研究所主辦的國內外公開發行的國家級期刊物理電子學類學術期刊。 半導體技術期刊的創辦時間為1976年，出版周期為月刊。期刊的國內統一刊號：13-1109/TN，國際標準刊號：1003-353X。
《半導體技術》以嚴謹風格，權威著述，在業內深孚眾望，享譽中外，對我國半導體事業的發展發揮了積極的作用。"向讀者提供更好資訊，為客戶開拓更大市場，提供技術成果展示、轉化和技術交流的平臺，達到了促進我國半導體技術不斷發展的目的"是《半導體技術》的追求，本刊一如既往地堅持客戶至上，服務第一，竭誠向讀者提供多元化的信息。趨勢與展望：全面闡述半導體技術與應用的發展趨勢；專題報道：每期就設計、生產、應用等企業關注的熱門技術及焦點論題，進行有深度、廣度的全面剖析；器件制造與應用：半導體器件的設計和制造及在各種領域中的應用；工藝技術與材料：介紹最新的半導體技術制作工藝和該領域用的新材料；集成電路設計與開發：各種IC的設計和應用技術、設計工具及發展動向；封裝、測試與設備：介紹器件、芯片、電路的測試、設備和封裝的前沿技術；MEMS技術：現代管理：半導體代工廠、潔凈廠房、半導體用水及氣體、化學品，等管理技術；綜合新聞：及時發布世界各地半導體最新產品及技術信息。《半導體技術》的稿件來源于全國各主要研究機構、大專院校和企事業單位等。
| 年限 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 發文量 | 289 | 249 | 246 | 218 | 193 | 168 | 159 | 183 | 157 | 0 |
| 被引次數 | 352 | 280 | 229 | 241 | 206 | 214 | 149 | 98 | 12 | 0 |
| 序號 | 主題名稱 | 相關發文量 | 相關發文學者 |
|---|---|---|---|
| 1 | 半導體 | 1015 | 錢省三 宋登元 徐會武 趙潤 潘宏菽 |
| 2 | 電路 | 952 | 吳洪江 高學邦 成立 王振宇 方園 |
| 3 | 集成電路 | 703 | 吳洪江 高學邦 成立 王振宇 方園 |
| 4 | 晶體管 | 440 | 馮志紅 吳洪江 趙正平 潘宏菽 蔡樹軍 |
| 5 | 芯片 | 410 | 吳洪江 王振宇 成立 李麗 姚興軍 |
| 6 | 放大器 | 282 | 吳洪江 高學邦 南敬昌 成立 謝紅云 |
| 7 | 封裝 | 273 | 王珺 賈松良 蔡堅 王水弟 成立 |
| 8 | 二極管 | 258 | 魏洪濤 賈云鵬 吳洪江 高學邦 牛萍娟 |
| 9 | 單片 | 187 | 吳洪江 高學邦 方園 蔡樹軍 付興昌 |
| 10 | 信號 | 159 | 殷小貢 溫斌 陳義飛 吳善培 李春泉 |
1、來稿內容題材新穎、結構嚴謹、文字凝練、闡論精辟，有一定理論水平和學術價值。文稿字數2000字以上，要有中文標題、關鍵詞、摘要。
2、文章題目力求簡明、醒目，中文文題一般以20個漢字以內為宜，可帶副題。關鍵詞：3－5個，摘要：150-200字。
3、論文請一律使用word格式。
4、參考文獻：是對引文作者、作品、出處、版本等情況的說明，文中用序號標出，詳細引文情況按順序排列文尾。以單字母方式標識以下各種參考文獻類型：普通圖書[Ｍ]，會議論文[C]，報紙文章[N]，期刊文章[J]，學位論文[D]，報告[R]，標準[S]，專利〔P〕，匯編[G]，檔案[B]，古籍[O]，參考工具[K]。
5、獲基金及獲獎稿件：論文所涉及的課題如取得國家或部、省級以上基金或屬攻關項目，應腳注于文題頁左下方，如基金項目：××（基金編號××××）。
6、請在文末注明作者簡介：第一作者姓名（出生年—），性別，學歷，學位，職稱，研究方向或從事的工作。