作者:奉榮,姜丹丹
摘要:基于TSMC 65nm CMOS工藝,設計了一種低相噪寬調諧范圍的電壓控制振蕩器(VCO)。VCO的負電阻部分創新性地使用由NMOS和PMOS晶體管組成的電流復用拓撲結構,諧振開關結構用于實現寬調諧范圍和高頻振蕩時保持較為穩定的壓控增益(Kvco)。電路的尾電流部分采用POMS電流鏡結構用于減小晶體管閃爍噪聲對VCO相位噪聲的影響。在1.2 V電源電壓下,壓控振蕩器的功耗為4.5 m W,1.72 GHz頻率處相位噪聲達到-112 d Bc/Hz@100 k Hz。該LC VCO的寬調諧范圍和良好的相位噪聲性能較好地用于各種PLL電路中。
發文機構:成都信息工程大學通信工程學院
關鍵詞:電容電感壓控振蕩器電流復用電容陣列諧振開關鎖相環LC VCOcurrent-reusecapacitor arrayresonator-switchingPLL
分類號: TN752[電子電信—電路與系統]