一種高精度過溫保護電路的設計

作者：胡揚,聶海

摘要：基于CSMC.25 μm BCD工藝模型和BG電路結構中的三極管VBE的負溫度系數,與恒流源和數據選擇器所產生的高低閾值電壓的比較,得到一種高精度的過溫保護電路.通過Cadence IC51 Spectre軟件仿真平臺仿真驗證,在典型的模型(tt)仿真情況下,當溫度大于166.4℃時,輸出由低變高,控制信號迫使整個芯片關斷;當溫度低于132℃時,輸出電平由高轉為低,電路恢復正常工作狀態.設置的電源電壓范圍在3.7 ~5 V時,過溫的閾值變化僅為0.3V,由此可見溫度的變化精度高.

發文機構：成都信息工程大學

關鍵詞：高精度過溫保護閾值電壓BCD工藝high precisionover temperature protectionthreshold voltageBCD process

分類號： TN433[電子電信—微電子學與固體電子學]