作者:郭函,馬文英,馬長偉,唐雨竹
摘要:設計了一種基于吸波結構的THz諧振器。該結構單元由三開口金屬諧振環、有損絕緣基板及連續金屬膜組成,分別對FR4材料基板以及PI基板的THz諧振器進行仿真,分析了兩種介質損耗不同的中間層基板對THz諧振器的吸收率及品質因數的影響。結果表明,選用較低介質損耗的PI材料作為中間層基板的THz諧振器,其歐姆損耗吸波效應更明顯,吸波峰較選用較高介質損耗的材料作為中間層基板的THz諧振器有所頻移,吸收率有所衰減,而Q值、靈敏度、FOM值更高。通過優化,在0.982 THz附近得到一個3 dB帶寬約為6.88 GHz的吸波譜,相應的Q值為142.73,其吸收率為0.936。最后對THz諧振器的傳感特性進行了測量,其折射率靈敏度為48.21 GHz/RIU,FOM值為7.01/RIU,具有較高的傳感特性。
發文機構:成都信息工程大學通信工程學院 四川大學電子信息學院
關鍵詞:太赫茲吸波結構諧振器傳感特性terahertzabsorbing structureresonatorsensing characteristics
分類號: TP212[自動化與計算機技術—檢測技術與自動化裝置]