制備條件對反應濺射制備的a—SIC：H膜結構和特性的影響

作者：王印月,王輝耀

摘要：通過紅外透射譜，可見－紫外透射反射譜和電導率的測量，研究制備條件（射頻功率Ｐ和ＣＨ４流量比ｒｃ）對反應濺射法制備的ａ－Ｓｉｃ：Ｈ膜的結構和特性的影響。結果發現，當Ｐ＝３２０Ｗ，ｒｃ＝３．４１％時，膜的質量較好：帶尾較窄，膜中Ｃ成四配位，ＳｉＣ鍵數目較多，Ｅｏｐｔ〉２ｅＶ。對實驗結果作了初步討論。

關鍵詞：非晶硅碳膜反應油射法制備射頻功率

分類號： O484.1[理學—固體物理][理學—物理]