6H—SiC塊狀單晶的升華法生長

作者：唐連安

摘要：研究了高純ＳｉＣ粉料的合成及６Ｈ－ＳｉＣ大單晶的升華法生長。成功地生長出走私５ｍｍ，厚度１５ｍｍ的６Ｈ－ＳｉＣ單晶。利用這種晶體基片制成了蘭光發光二極管和能在３５０℃以上溫度下工作的整流二極管。

關鍵詞：碳化硅單晶生長升華法半導體材料

分類號： TN304.24[電子電信—物理電子學]