• 天文學進展 · 2018年第4期426-437,共12頁

    298顆VLBA校準源的射電成圖和結構效應分析

    作者:何旋,舒逢春

    摘要:為了提高甚長基線陣列(very long baseline array,VLBA)校準射電源位置的精度,建立新一代的國際天球參考架(international celestial reference frame,ICRF),VLBA開展了第二個歷元校準源巡天觀測(VLBA calibrator survey II,VCS-II)。BG219I是其中第8組觀測,共有298顆射電源在S和X雙波段被成功檢測到,其中48顆是首次被檢測到的射電源。給出了這298顆射電源的成圖結果,并根據它們的亮度分布,用δ函數分量建模,計算出這些射電源的結構時延和結構指數。研究了致密度跟結構指數的關系,發現結構指數越小的射電源,具有越大的致密度。還統計了21顆譜指數小于-0.8的陡譜射電源,發現它們在單個波段或者兩個波段的結構指數均超過3.0,表明這些射電源不夠致密,因而不適合高精度的天體測量。最后,研究了射電源的位置精度與結構指數的關系,發現射電源的位置精度隨著結構指數的變大而逐漸降低。

    發文機構:中國科學院上海天文臺 中國科學院大學

    關鍵詞:國際天球參考架類星體甚長基線陣列干涉測量ICRFquasarsVLBAinterferometric

    分類號: P161[天文地球—天文學]

    來源期刊
    天文學進展

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    Progress In Astronomy
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    • 北大核心
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