自蔓延合成β-SiC粉制備碳化硅陶瓷

作者：錢承敬,陸有軍

摘要：本研究采用自蔓延合成β-SiC粉體,添加硼、碳燒結助劑,在不同的燒結溫度下,經過無壓燒結制備了碳化硅陶瓷。測試了試樣密度、燒失率及收縮率,分析研究了不同燒結溫度下樣品的致密度。通過對比三組不同燒結助劑配方對燒成品致密的影響,并結合樣品的顯微結構和相組成分析表征,研究了陶瓷微觀形態與表觀性能的關系。實驗結果表明:燒結助劑B含量為1wt%、C含量為1.5wt%時,2000?C下燒結得到的材料致密度最佳,其值為2.77g/cm3。

發文機構：北京低碳清潔能源研究所 北方民族大學材料科學與工程學院

關鍵詞：自蔓延燃燒碳化硅固相燒結致密性Self-propagating synthesizeSiCSinteringProperty

分類號： TQ12[化學工程—無機化工]