微波合成片狀β-SiC的工藝研究

作者：董陳江,李紀鵬,王若名,宋勃震,高前程,范書珩,理思遠,李文豪,張銳

摘要：片狀β-SiC可通過使用石墨紙(C)作為碳源、正硅酸乙酯水解制得的SiO2溶膠.凝膠作為硅源、經微波加熱合成。本文根據加熱過程中微波爐加熱溫度、輸入功率和反射功率的變化曲線,探討了微波合成片狀β-SiC過程中微波加熱熱效應。分別選擇1100°C、1200°C、1300°C、1400°C和1500°C五個微波燒結溫度,研究了相同保溫時間下不同加熱溫度對微波合成片狀β-SiC的影響。在燒結溫度1300°C下,選取保溫時間分別為0min、10min、30min和60min,探索了同一合成溫度下不同保溫時間對微波合成片狀β-SiC的影響。采用XRD,SEM技術對樣品進行了表征。結果發現,燒結溫度為1100°C時,產物中合成了片狀β-SiC;當燒結溫度為1400°C時,片狀β-SiC轉化為β-SiC顆粒。過高的燒結溫度和過長的保溫時間都將導致β-SiC的氧化。在1300°C保溫30min條件下得到的片狀β-SiC生長最好。

發文機構：鄭州航空工業管理學院航空材料與應用技術重點實驗室 鄭州大學材料科學與工程系

關鍵詞：片狀β-SiC微波加熱加熱熱效應Flaky β-SiCMicrowave heatingHeating thermal effect

分類號： TQ174[化學工程—陶瓷工業][化學工程—硅酸鹽工業]