• 現代技術陶瓷 · 2019年第3期207-214,共8頁

    PIP法制備C/C-SiC復合材料的工藝研究

    作者:姜凱,劉瑞祥,王艷艷,徐鴻照,周長靈,楊芳紅

    摘要:以聚碳硅烷為原料,利用前驅體浸漬裂解工藝制備了C/C-SiC復合材料。分別研究了以二乙烯基苯和二甲苯為溶劑的聚碳硅烷溶液的粘度值,選擇最佳的溶液對復合材料進行浸漬裂解,同時研究了浸漬工藝對復合材料致密度的影響,并對制備的C/C-SiC復合材料進行了微觀結構分析。研究表明:以二甲苯為溶劑配制的質量比為0.4的聚碳硅烷溶液在35.C下具有良好的流動性,裂解產率較高;采用超聲、真空加壓浸漬方式能夠有效提高C/C-SiC復合材料的致密度,縮短制備周期。通過9個周期的浸漬裂解,將復合材料的密度快速提升至1.85g/cm^3,材料的最終開氣孔率為12.50%,材料內部結構致密,力學性能優異。

    發文機構:山東工業陶瓷研究設計院有限公司

    關鍵詞:聚碳硅烷C/C-SIC復合材料浸漬工藝PIPPrecursor impregnation pyrolysisC/C-SiCUltrasonic impregnation

    分類號: TB332[一般工業技術—材料科學與工程]

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