碳化硼薄膜制備技術研究進展

作者：涂溶,胡璇,章嵩,王傳彬,沈強,張聯盟

摘要：本文歸納了碳化硼薄膜的主要特性以及近年來在功能陶瓷、熱電元件等方面的廣泛應用。總結了目前物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)技術制備碳化硼薄膜的主要方法,包括磁控濺射法、離子束蒸鍍法、經典化學氣相沉積法(c-CVD)、等離子增強化學氣相沉積法(PECVD、激光化學氣相沉積法(LCVD)和熱絲化學氣相沉積法(HFCVD)等,討論了各種沉積技術制備碳化硼薄膜工藝中各種實驗參數對薄膜生長過程的影響,并對該領域今后的研究方向進行了展望。

發文機構：武漢理工大學材料復合新技術國家重點實驗室

關鍵詞：碳化硼薄膜物理氣相沉積化學氣相沉積Boron carbide filmsPhysical vapor depositionChemical vapor deposition

分類號： O484.5[理學—固體物理][理學—物理]