作者:程浩,陳明祥,羅小兵,彭洋,劉松坡
摘要:隨著功率器件特別是第三代半導體的崛起與應用,半導體器件逐漸向大功率、小型化、集成化、多功能等方向發展,對封裝基板性能也提出了更高要求。陶瓷基板(又稱陶瓷電路板)具有熱導率高、耐熱性好、熱膨脹系數低、機械強度高、絕緣性好、耐腐蝕、抗輻射等特點,在電子器件封裝中得到廣泛應用。本文分析了常用陶瓷基片材料(包括Al2O3、AlN、Si3N4、BeO、SiC和BN等)的物理特性,重點對各種陶瓷基板(包括薄膜陶瓷基板TFC、厚膜印刷陶瓷基板TPC、直接鍵合陶瓷基板DBC、直接電鍍陶瓷基板DPC、活性金屬焊接陶瓷基板AMB、激光活化金屬陶瓷基板LAM以及各種三維陶瓷基板等)的制備原理、工藝流程、技術特點和具體應用等進行了論述,最后對電子封裝陶瓷基板發展趨勢進行了展望。
發文機構:華中科技大學機械科學與工程學院 華中科技大學能源與動力工程學院 武漢利之達科技股份有限公司
關鍵詞:陶瓷基板三維陶瓷基板電子封裝熱管理功率器件Ceramic substrate3D ceramic substrateElectronic packagingThermal managementPower device
分類號: TN305.94[電子電信—物理電子學]