高壓IGBT器件用200mm硅外延材料制備技術研究

作者：魏建宇,楊帆,王銀海,鄧雪華

摘要：結合高壓IGBT器件用200mm硅外延材料的特性要求,從表面缺陷控制、滑移線控制,以及產品電阻率縱向結構分布控制等方面,研究了外延材料制備過程中的各項工藝參數,優化了高壓IGBT器件用大尺寸硅外延片的制備方法。通過研究生長溫度與表面缺陷的對應性,降低了批產過程中的缺陷廢片率;通過研究溫場分布趨勢與外延片表面滑移線的對應關系,減少了片內滑移線的產生;通過多層外延的控制模式,并采用變摻雜的工藝條件,實現了外延片電阻率縱向結構的特殊分布。

發文機構：南京國盛電子有限公司

關鍵詞：硅外延表面缺陷滑移線溫場縱向結構

分類號： TN304[電子電信—物理電子學]