作者:王海,程文海,周濤濤,盧振成,王凌振,蔣梁疏
摘要:低k(介電常數)介質材料替代傳統SiO2作為互連金屬介電層是集成電路發展的必然趨勢。總結了低k材料性能基本要求及制備方法,重點探討含氟低k有機材料研究進展。認為獲得k值低且綜合性能優異的含氟有機材料是最終目的,并對含氟低k有機材料的研究前景進行了展望。
發文機構:浙江凱圣氟化學有限公司
關鍵詞:金屬介電層低K材料含氟低k有機材料inter-metal dielectric(IMD)low-k materialslow-k fluorinated organic materials
分類號: G63[文化科學—教育學]