SiO2疏松體高溫脫羥過程數值模擬(續)

作者：張國君,馬千里,歐陽葆華,方海生,王韜

摘要：3.2脫羥過程主要參數變化圖5所示為熔制過程中SiO2疏松體平均溫度(Ta)和平均孔隙率(φa)隨時間的變化曲線。可以看出,疏松體平均溫度的升高趨勢和圖3所示的頂面升溫曲線保持一致。在10h時頂面溫度為1 000℃,疏松體平均溫度為997.5℃,兩者較為接近。這是由于高溫下輻射換熱較為強烈,頂面的高溫很快傳遞到疏松體內部。由于35h之前疏松體還未燒結,所以φa保持初始值不變。在35h以后,疏松體開始發生燒結,φa開始下降。當脫羥進行到76.3h時,疏松體全部燒結為石英錠,此后隨著溫度升高石英錠的孔隙率維持在設定的最低值0.01。

發文機構：湖北菲利華石英玻璃股份有限公司 華中科技大學能源與動力工程學院

關鍵詞：升溫曲線SIO2平均溫度過程數值模擬變化曲線參數變化

分類號： TQ171.411[化學工程—玻璃工業][化學工程—硅酸鹽工業]