P(VDF–HFP)/BST納米復合薄膜的制備及介電、儲能性能

作者：梅文臣,魏金棟,柯振瑜,胡靜

摘要：采用溶液鑄造法,以聚(偏氟乙烯–六氟丙烯)[P(VDF–HFP)]為基體、鈦酸鋇鍶(BST)為填料制備了納米薄膜材料。對薄膜的物相組成和微觀形貌進行了表征,研究了BST含量對薄膜介電性能和儲能性能的影響。結果表明,隨著BST含量的增大,薄膜的介電常數顯著上升,介電損耗在中、高頻區域有所下降,擊穿強度逐漸減小,薄膜的充電能量密度顯著增大;介電常數的實測值與Maxwell-Wagner理論模型計算值基本吻合,表明填料和基體結合良好,薄膜材料內部組織均勻,無明顯缺陷。此外,從實際應用的角度講,外加電場強度低于800 kV/cm或介于800~2100 kV/cm時,為了獲得最大的放電能量密度,應分別選用BST體積分數為30%或20%的P(VDF–HFP)/BST復合薄膜材料。

發文機構：常州大學材料科學與工程學院

關鍵詞：納米復合薄膜溶液鑄造聚(偏氟乙烯–六氟丙烯)鈦酸鋇鍶介電性能儲能性能nanocomposite filmsolution castingpoly(vinylidene fluoride-hexafluoropropylene)barium strontium titanatedielectric propertyenergy-storage property

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