基于砷化鎵晶體管的1.35~2.0 GHz低噪聲放大器

作者：江龍,李建斌,劉鴻飛,柴曉明

摘要：低噪聲放大器(Low Noise Amplifier,LNA)是接收機系統的關鍵器件,其性能決定了接收機系統的噪聲溫度和對微弱射電信號的放大能力。采用Avago公司砷化鎵(GaAs)工藝的pHEMT ATF-54134研制了一款可工作在1.35~2.0 GHz頻率范圍內的低噪聲放大器。該放大器采用兩級拓撲結構,單電源自偏置供電,典型增益28 dB,典型噪聲溫度35 K,輸入回波損耗優于-10 dB,輸出回波損耗優于-15 dB,輸入1 dB壓縮點為-13 dBm。該放大器除了可用于對中性氫、脈沖星和羥基進行觀測的射電望遠鏡接收機以外,還可用于電波環境監測系統。

發文機構：中國科學院國家天文臺 中國科學院大學 中國科學院FAST重點實驗室

關鍵詞：低噪聲放大器射電天文接收機砷化鎵晶體管輸入1dB壓縮點兩級拓撲電路Low noise amplifierRadio astronomy receiversGaAs transistor1 dB compression point2 stages topology circuit

分類號： TN722.1[電子電信—電路與系統]