4～10 GHz寬帶單片集成低噪聲放大器設計

作者：陳瑩,李斌

摘要：在單片微波集成電路領域,放大器的設計往往不能兼顧噪聲、增益和帶寬,通常為達到最佳噪聲和增益會限制帶寬,或者為增大帶寬而犧牲噪聲和增益。本文采用穩懋公司0.15μmpHEMT工藝,綜合各種因素,設計了一款寬帶低噪聲放大器電路,其頻率范圍4～10 GHz,增益約25 dB,噪聲溫度低于100 K,輸入輸出回波損耗大于10 dB。

發文機構：中國科學院上海天文臺 中國科學院研究生院

關鍵詞：寬帶單片集成低噪聲放大器pHEMT晶體管

分類號： TN7[電子電信—電路與系統]