8-20GHz 寬帶單片微波集成低噪聲放大器設計

作者：李政凱,陳瑩,李斌

摘要：基于其體積小、重量輕、一致性好等特點,單片微波集成電路的低噪聲放大器在射電天文中有著重要作用。本文采用穩懋公司150 nm和100 nm贗高電子遷移率晶體管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工藝設計了兩款低噪聲放大器電路,成功流片,并進行比較。兩款放大器的工作頻率范圍均為8-20 GHz,增益約為23~28 dB,噪聲溫度低于150K,輸入輸出回波損耗大于10 dB。

發文機構：中國科學院上海天文臺 中國科學院大學

關鍵詞：寬帶微波單片集成低噪聲放大器pHMET晶體管

分類號： TN722.3[電子電信—電路與系統]