一種pHEMT小信號等效電路模型提取方法

作者：曹杰杰,李斌

摘要：贗高電子遷移率晶體管(pHEMT)目前廣泛應用于低噪聲放大器的設計,其小信號等效電路模型對于計算機電子設計自動化(EDA)設計尤為重要。本文介紹了一種pHEMT小信號等效電路模型的參數提取方法,并采用該方法對一款穩懋公司0.15μm工藝pHEMT進行仿真參數提取,結果與穩懋pHEMT模型手冊中小信號模型對比,吻合良好,進而希望該模型應用于低溫pHEMT小信號模型參數提取。

發文機構：中國科學院上海天文臺 中國科學院研究生院

關鍵詞：小信號等效電路模型pHEMT建模參數提取S參數

分類號： TN3[電子電信—物理電子學]