作者:杜華,楊龍龍,于紫舒,吳冰潔,張亞楠,孫琨,方亮
摘要:使用開源分子動力學模擬軟件,建立了單晶銅三體磨料磨損的分子動力學模型,模擬不同水膜厚度和載荷下單晶銅三體磨料磨損的過程,分析了在水膜厚度和載荷對單晶銅基體磨料磨損的磨損機制和磨損率。結果表明:無水膜時,磨料直接壓入單晶銅基體,隨著載荷的增大,基體被磨損的銅原子大幅度增加。在一定載荷下,由于水膜具有優異的承載和潤滑作用,隨著水膜厚度的增大,單晶銅基體磨損率減小。在一定水膜厚度下,隨著載荷的增大,磨料壓穿水膜與基體直接接觸,且磨料與基體間的作用力隨載荷增大而增大,故基體的磨損率增大。
發文機構:中國核動力研究設計院 西安交通大學金屬材料國家重點實驗室
關鍵詞:分子動力學模擬單晶銅磨損機制磨損率molecular dynamics simulationsingle crystal copperwear mechanismwear rate
分類號: TB303[一般工業技術—材料科學與工程]